EEPROM

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放喺美國硬幣上嘅一個SOT-23封裝同正反面兩枚超微型DFN封裝嘅序列式EEPROM,型號11LC160,容量16kbit
一個4Mbit (= 512 KB) 容量,型號 29C040嘅Flash EEPROM

EEPROM,或者叫E2PROM,全稱電子抹除式可複寫唯讀記憶體 英文Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory),係一種可以通過電子方式多次複寫嘅半導體儲存設備。相比EPROM,EEPROM唔需要用紫外線照射,亦唔使除低,就可以用特定嘅電壓,嚟抹除集成電路上嘅信息,以寫低新嘅數據

EEPROM有4種工作模式:讀取模式、寫入模式、擦除模式、校驗模式。讀取嘅時候,芯片只需要Vcc低電壓(一般+5V)供電。編程寫入嘅時候,芯片通過Vpp(一般+25V,新嗰啲可能會用 12V 或 5V)攞到編程電壓,並通過PGM編程脈衝(一般50ms)寫入數據。擦除嘅時候,只需要用Vpp高電壓,唔需要紫外線,就可以擦除指定地址嘅內容。為咗保證寫入正確,喺每寫入一塊數據之後,都要進行類似讀取嘅校驗步驟,如果錯咗就要重新寫入。依家嘅EEPROM通常唔需要用額外嘅Vpp電壓,寫入時間都已經縮短。

由於EEPROM嘅優秀性能,同埋喺線上操作嘅便利,佢廣泛用喺需要經常擦除嘅BIOS晶片以及快閃記憶體芯片,並逐步替代部分有斷電保留需要嘅RAM晶片,甚至取代部份嘅硬碟功能(睇SSD)。佢同高速RAM成為咗當前(2000年代)最常用同發展最快嘅兩種儲存技術。

歷史[編輯]

1978年,英特爾公司嘅George Perlegos喺EPROM技術嘅基礎上,改用薄嘅閘極氧化層,因此唔需要紫外光,晶片就可以用電氣方式抹除自身嘅位元,因而開發出型號2816嘅16kbit EEPROM。Perlegos同一啲同事後來離開英特爾,創立 Seeq Technology 公司後,喺晶片上內建電荷泵(charge pump)以提供燒錄時自身所需嘅高電壓,因而推出只需要5V電壓嘅EEPROM,方便實施線上燒錄(In-System Programming,ISP 或者叫 In-Circuit Programming,ICP)。[1]

EEPROM元件嘅類型[編輯]

有啲EEPROM係包含喺其他元件中,係呢個元件嘅一部份。例如:MCU 中可能包含用嚟儲存程式或者資料嘅EEPROM、數位電位器(Digital Potentiometer)入面都需要 EEPROM 嚟儲存目前嘅設定值。

單獨嘅EEPROM元件,佢嘅通信口通常可以分成串行(serial)同並行(parallel)兩類。除咗電源線外,串行通信口只係用1~4隻接線嚟傳遞訊號,所需接腳比並行式少啲,通常用嚟儲存資料。執行用嘅程式就通常放喺並行式嘅EEPROM中,以方便存取。

序列式EEPROM[編輯]

  • Microwire 通信口(4線):型號係以 93 開頭嘅系列。例:93C46
  • I2CTM 通信口(2線):型號係以 24 開頭嘅系列。例:24LC02
  • SPI 通信口(3線):型號係以 25 開頭嘅系列。例:25LC08
  • UNI/OTM通信口(1線):由 Microchip公司出品,型號係以 11 開頭嘅系列。
  • 1-Wire® 通信口(1線):由 Dallas / Maxim 公司出品。

並列式EEPROM[編輯]

型號通常係以 28 開頭嘅系列。

至於型號通常係以 29 或者 49 開頭嘅系列,寫入要用大啲嘅區塊為單位,呢種記憶體一般會用Flash(快閃記憶體)嚟稱呼。至於可以用小單位(例如位元組)擦除或者寫入先用EEPROM稱呼,以作區別。

參考[編輯]

  1. Rostky, George (July 3, 2002). "Remembering the PROM knights of Intel". EE Times. 喺2010-04-21搵到.