DRAM

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DRAMDynamic Random Access Memory動態隨機存取記憶體)係一種半導體記憶體,作用原理係利用電容入面嘅儲存電荷嘅多少嚟代表一個二進制位元係1定係0。由於現實中電晶體會有漏電電流嘅現象,搞到電容上所儲存嘅電荷數量唔夠去正確判別資料,而造成資料損毀。因此對於DRAM嚟講,週期性咁充電係一個唔可以避免嘅要件。由於呢種需要定時刷新嘅特性,所以佢叫做「動態」記憶體。相對嚟講,靜態隨機存取記憶體(SRAM)只要存入資料之後,即使唔刷新都唔會唔見。

同SRAM相比,DRAM嘅優勢係結構簡單——每一個位元的資料都只需1個電容同1個電晶體嚟處理,相比之下喺SRAM上一個位元通常要6個電晶體。正因為咁,DRAM有非常高嘅密度,單位體積嘅容量比較高因此成本比較低。但係相反,DRAM都有存取速度慢,耗電量大等缺點。

同大部分嘅RAM一樣,由於儲存喺DRAM中嘅資料會喺電力切斷之後好快消失,因此佢屬於一種揮發性記憶體(volatile memory)設備。

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